Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Нанотранзисторы кремний-на-изоляторе: перспективы ипроблемы реализации

Наумова О.В., Антонова И.В., Попов В.П., Настаушев Ю.В., Гаврилова Т.А., Литвин Л.В., Aсеeв А.Л.

Наумова О.В., Антонова И.В., Попов В.П., Настаушев Ю.В., Гаврилова Т.А., Литвин Л.В., Aсеeв А.Л. Нанотранзисторы кремний-на-изоляторе: перспективы ипроблемы реализации // ФТП, 2003, том 37, выпуск 10, Стр. 1253

Аннотация Рассмотрены основные проблемы, возникающие при изготовлении наноразмерных транзисторов. Апробированы альтернативные классическому МОП-транзистору конструкции полевых транзисторов на структурах кремний-на-изоляторе сразличной конфигурацией затвора. Показано, что наиболее перспективными являются конструкции многоканальных транзисторов на однородно легированных слоях кремния-на-изоляторе стрехмерным затвором, которые позволяют решить как проблему смыкания областей обеднения стока--истока (вклассических МОП-транзисторах), так и проблему малой плотности тока вконструкциях содним каналом.