Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Royal Institute of Technology Department of Electronic, Electrum 229, SE 164 40 Kista, Sweden + Acreo AB, Electrum 236, SE 164 40 Kista, Sweden =/= Санкт-П ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние облучения быстрыми нейтронами на электрические характеристики приборов на основе CVDэпитаксиальных слоев 4H-SiC

Калинина Е.В., Холуянов Г.Ф., Давыдов Д.В., Стрельчук А.М., Hallen A., Константинов А.О., Лучинин В.В., Никифоров А.Ю.

Калинина Е.В., Холуянов Г.Ф., Давыдов Д.В., Стрельчук А.М., Hallen A., Константинов А.О., Лучинин В.В., Никифоров А.Ю. Влияние облучения быстрыми нейтронами на электрические характеристики приборов на основе CVDэпитаксиальных слоев 4H-SiC // ФТП, 2003, том 37, выпуск 10, Стр. 1260

Аннотация Исследовалось влияние облучения быстрыми нейтронами(1 МэВ) на электрические свойства Al-барьеров Шоттки иионно-легированных алюминием p+\kern-1pt-n-n+\kern-1pt-диодов, сформированных на основе высокоомных чистых эпитаксиальных слоев 4H-SiC n-типа проводимости, выращенных методом газотранспортной эпитаксаии. Использование таких структур позволило проводить исследования радиационных дефектов вэпитаксиальном слое при температурах до700 K. После облучения образцов нейтронами сфлюенсом 6· 1014 см-2 наблюдалось исчезновение выпрямляющих свойств диодных структур из-за высокого (до 50 ГОм) сопротивления радиационно-нарушенного слоя. Однако при температуре650 K диодные характеристики облученных p+\kern-1pt-n-n+\kern-1pt-структур частично восстанавливались.