Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 Организация+ Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, D-10623 Berlin, Germany ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Температурные характеристики низкопороговых высокоэффективных лазеров наквантовых точках, излучающих вдиапазоне длин волн 1.25-1.29 мкм

Новиков И.И., Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Гордеев Н.Ю., Ковш А.Р., Жуков А.Е., Михрин С.С., Малеев Н.А., Васильев А.П., Устинов В.М., Алферов Ж.И., Леденцов Н.Н., Бимберг Д. Температурные характеристики низкопороговых высокоэффективных лазеров наквантовых точках, излучающих вдиапазоне длин волн 1.25-1.29 мкм // ФТП, 2003, том 37, выпуск 10, Стр. 1270

Аннотация Исследованы температурные зависимости рабочих характеристик низкопороговых (пороговая плотность тока менее 100 А/см2), высокоэффективных (дифференциальная квантовая эффективность до88%) инжекционных лазерных гетероструктур. Структуры содержали2, 5 и10слоев квантовых точек InAs--GaAs в качестве активной области и излучали в диапазоне длин волн 1.25-1.29 мкм. Показано, что изменение распределения носителей в активной области с неравновесного на равновесный приводит к N-образному характеру температурной зависимости пороговой плотности тока и внешней дифференциальной квантовой эффективности.