Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотоэлектрические явления в гетероструктурах ZnO : Al--p-Si

Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Полушина И.К., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И.

Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Полушина И.К., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фотоэлектрические явления в гетероструктурах ZnO : Al--p-Si // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1329

Аннотация Методом магнетронного распыления получены пленки оксида цинка, легированные алюминием (ZnO : Al). На основании исследования их электрических свойств показано, что концентрация электронов в них достигает 5·1020 см-3 и в диапазоне температур 77-300 K практически постоянна, что указывает на высокую эффективность легирования ZnO примесью Al. Установлено, что осаждение тонких пленок (d~1 мкм) на поверхность(111) p-Si приводит к получению гетероструктур с максимальной фоточувствительностью ~400 В/Вт при T=300 K, которая осциллирует в спектральном диапазоне 1.3-3.5 эВ. При наклонном падении линейно поляризованного излучения в таких гетероструктурах возникает наведенный фотоплеохроизм, величина которого осциллирует в диапазоне 5-40% (theta~75o), что связано с интерференционными явлениями в пленках ZnO. Сделано заключение о возможностях применения полученных гетероструктур в качестве узкоселективных фотосенсоров естественного и линейно-поляризованного излучений.