Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияЧерновицкий национальный университет, 58012 Черновцы, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


О влиянии реальной поверхности монокристаллического Si нанизкочастотное внутреннее трение иповедение эффективного модуля сдвига
Олейнич-Лысюк А.В., Бешлей Н.П., Фодчук И.М.
Олейнич-Лысюк А.В., Бешлей Н.П., Фодчук И.М. О влиянии реальной поверхности монокристаллического Si нанизкочастотное внутреннее трение иповедение эффективного модуля сдвига // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1337
Аннотация Исследованы спектры низкочастотного внутреннего трения и поведение эффективного модуля сдвига Geff(T) в монокристаллическом кремнии, выращенном по методу Чохральского, после механической и химико-механической обработок поверхности и после естественного старения при комнатных температурах в течение длительного времени. Показано, что механическая обработка поверхности Si приводит к инициации необычных структурных фазовых превращений, сопровождающихся обратным гистерезисом зависимости Geff(T). Высказано предположение о том, что такое поведение Geff(T) связано с образованием несоразмерных фаз. Обнаружено также, что старение при комнатной температуре в течение более 10 000 ч приводит к началу распада пересыщенного твердого раствора кислорода в Si и возникновению в образцах существенных напряжений, инициирующих структурные фазовые превращения.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален