Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Флуктуации заряда на границе сращивания вструктурах кремний-на-изоляторе

Антонова И.В., Стучинский В.А., Наумова О.В., Николаев Д.В., Попов В.П.

Антонова И.В., Стучинский В.А., Наумова О.В., Николаев Д.В., Попов В.П. Флуктуации заряда на границе сращивания вструктурах кремний-на-изоляторе // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1341

Аннотация Исходя из данных емкостной спектроскопии глубоких уровней в работе проведена оценка флуктуаций заряда на границе <отсеченный слой кремния>-<скрытый диэлектрик> в структурах кремний-на-изоляторе. Граница создана сращиванием кремния с термически окисленной подложкой. Определена величина флуктуаций заряда на границе, равная или превышающая значение (1.5-2.0)· 1011 см-2 на фоне заряда ~ 5· 1011 см-2 на данной границе. Показано, что флуктуации связаны скорее всего с отрицательным зарядом на поверхностных состояниях, а не с флуктуациями фиксированного положительного заряда вокисле.