Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияВоронежская государственная технологическая академия, 394017 Воронеж, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Кинетика начальной стадии халькогенидной пассивации полупроводников A IIIB V

Антюшин В.Ф., Буданов А.В., Кухаренко Д.С., Палишкин Д.А.

Антюшин В.Ф., Буданов А.В., Кухаренко Д.С., Палишкин Д.А. Кинетика начальной стадии халькогенидной пассивации полупроводников A IIIB V // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1349

Аннотация Обоснована и сформулирована математическая модель термостимулированного гетеровалентного замещения анионов в поверхностном слое AIIIBV при халькогенидной пассивации из газовой фазы. Модель представлена в виде нелинейной системы дифференциальных уравнений. Показано, что существенное влияние на кинетику оказывает исходное состояние поверхности (начальная поверхностная концентрация анионных вакансий).