Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия + Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии, 220090 Минск, Белоруссия + Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирс ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Модифицирование нанокластеров германия вкремнии поддействием импульсного лазерного излучения

Володин В.А., Гацкевич Е.И., Двуреченский А.В., Ефремов М.Д., Ивлев Г.Д., Никифоров А.И., Орехов Д.А., Якимов А.И.

Володин В.А., Гацкевич Е.И., Двуреченский А.В., Ефремов М.Д., Ивлев Г.Д., Никифоров А.И., Орехов Д.А., Якимов А.И. Модифицирование нанокластеров германия вкремнии поддействием импульсного лазерного излучения // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1352

Аннотация Исследовалось воздействие импульсов излучения рубинового лазера на нанокластеры Ge, сформированные на подложке Si(100). Плотность энергии облучения соответствовала порогу плавления поверхности Si. Изменение структуры нанокластеров анализировалось на основании данных спектроскопии комбинационного рассеяния света всопоставлении срасчетами на основе моделей Борна--фон-Кармана и Волькенштейна. Установлено, что воздействие одного импульса изменяет структуру нанокластеров. Наблюдается изменение их размеров и частичная релаксация напряжений сжатия. Еще более существенные изменения происходят при воздействии 10 импульсов. Нанокластеры Ge трансформируются вкластеры твердого раствора GexSi1-x, предположительно за счет диффузионных процессов, стимулированных механическими напряжениями и вакансионными дефектами. Проведено численное моделирование динамики теплового воздействия лазерного излучения на нанокластеры германия вкремнии.