Профиль » Публикация
Опубликовано
2003-00-00
ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия * Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Research Center Rossendorf, 01314 Dresden, Germany
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Фотолюминесценция нанокластеров сульфида кадмия, сформированных вматрице пленки Ленгмюра-Блоджетт
Багаев Е.А., Журавлев К.С., Свешникова Л.Л., Бадмаева И.А., Репинский С.М., Voelskow M. Фотолюминесценция нанокластеров сульфида кадмия, сформированных вматрице пленки Ленгмюра-Блоджетт // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1358
Аннотация
Исследована фотолюминесценция нанокластеров CdS, сформированных в матрице пленки Ленгмюра-Блоджетт, а также после ее удаления. Спектр фотолюминесценции нанокластеров в матрице состoит из широкой (ширина на полувысоте ~ 0.6 эВ) полосы смаксимумом при 2.4 эВ. После удаления матрицы гексаном спектр фотолюминесценции состоит из высокоэнергетической полосы смаксимумом при 2.9 эВ (ширина ~ 0.2 эВ) и двух низкоэнергетических полос с максимумами при 2.4 и 2.0 эВ (ширина ~ 0.5 эВ). Мы считаем, что высокоэнергетическая полоса связана с рекомбинацией экситонов в нанокластерах, а полосы с максимумами при 2.4 и 2.0 эВ срекомбинацией через уровни дефектов, расположенных вобъеме матрицы и на границе раздела нанокластер--матрица соответственно.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален