Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Самопроизвольное формирование периодической наноструктуры смодуляцией состава впленках CdxHg1-xTe

Бахтин П.А., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Кравченко А.Ф., Латышев А.В., Михайлов Н.Н., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Якушев М.В.

Бахтин П.А., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Кравченко А.Ф., Латышев А.В., Михайлов Н.Н., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Якушев М.В. Самопроизвольное формирование периодической наноструктуры смодуляцией состава впленках CdxHg1-xTe // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1369

Аннотация Впленках CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs при повышенных температурах, установлены аномалии электрофизических свойств. Аномалии проявляются ванизотропии проводимости, изменении спектров пропускания и фотопроводимости при низкотемпературном отжиге, а также в наличии периодического волнообразного микрорельефа поверхности. Исследована температурная зависимость проводимости вдоль и поперек волн микрорельефа. Предполагается, что пленка CdxHg1-xTe с аномальными электрофизическими свойствами представляет собой самопроизвольно сформированную периодическую структуру ввиде вертикальных наностенок разного состава. Рассматриваются возможные механизмы формирования такой структуры.