Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияНаучно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им.Н.И.Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Экстремальная дозовая зависимость концентрации парамагнитных центров, обусловленных оборванными связями вSi, приионном облучении, как свидетельство наноструктурирования

Тетельбаум Д.И., Ежевский А.А., Михайлов А.Н.

Тетельбаум Д.И., Ежевский А.А., Михайлов А.Н. Экстремальная дозовая зависимость концентрации парамагнитных центров, обусловленных оборванными связями вSi, приионном облучении, как свидетельство наноструктурирования // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1380

Аннотация Подробно исследованы зависимости от дозы концентрации парамагнитных центров с g=2.0055 при облучении кремния ионамиGe+, Ar+ иNe+. Показано, что во всех случаях зависимости характеризуются (ранее не замеченным) наличием максимумов при дозах, соответствующих переходу к полной аморфизации. Эта особенность объяснена на основе модели, предполагающей дополнительный вклад в электронный парамагнитный резонанс от оборванных связей, расположенных на границе раздела нанокристаллов с аморфной матрицей.