Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Сигм Плюс, 117342 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

1.7--1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур

Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Фетисова Н.В., Лешко А.Ю., Шамахов В.В., Андреев А.Ю., Голикова Е.Г., Рябоштан Ю.А., Тарасов И.С.

Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Фетисова Н.В., Лешко А.Ю., Шамахов В.В., Андреев А.Ю., Голикова Е.Г., Рябоштан Ю.А., Тарасов И.С. 1.7--1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1394

Аннотация Разработана технология получения гетероструктур раздельного ограничения с сильнонапряженными квантовыми ямами в системе твердых растворов InGaAsP/InP методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Исследованы свойства InGaAsP и InGaAs квантовых ям и проанализировано влияние параметров гетероструктуры на длину волны излучения. На базе выращенных гетероструктур созданы мощные многомодовые и одномодовые лазерные диоды мезаполосковой конструкции с длиной волны генерации lambda=1.7-1.8 мкм. Максимальная непрерывная мощность излучения при комнатной температуре составила 1.6 Вт и150 мВт многомодовых и одномодовых лазерных диодов соответственно. Одномодовый режим генерации сохранялся вплоть до 100 мВт.