Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Свойства светодиодов на основеGaSb, полученных путем химической огранки подложечной части светодиодных кристаллов

Гребенщикова Е.А., Именков А.Н., Журтанов Б.Е., Данилова Т.Н., Черняев А.В., Власенко Н.В., Яковлев Ю.П.

Гребенщикова Е.А., Именков А.Н., Журтанов Б.Е., Данилова Т.Н., Черняев А.В., Власенко Н.В., Яковлев Ю.П. Свойства светодиодов на основеGaSb, полученных путем химической огранки подложечной части светодиодных кристаллов // ФТП, 2003, том 37, выпуск 12, Стр. 1465

Аннотация Сообщаются результаты исследования светодиодов, работающих в средней инфракрасной области спектра (lambda=1.7-1.9 мкм). Подложечная часть светодиодных кристалликов на основе GaSb после химической огранки приобрела конусно-пирамидальную форму, и число граней кристаллика увеличилось с6 до10. Исследование спектров излучения и диаграмм направленности показало, что химическая огранка кристаллика увеличивает внешний квантовый выход излучения и делает диаграмму направленности почти полусферической.