Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Пикосекундные высоковольтные дрейфовые диоды на основе арсенида галлия

Рожков А.В., Козлов В.А.

Рожков А.В., Козлов В.А. Пикосекундные высоковольтные дрейфовые диоды на основе арсенида галлия // ФТП, 2003, том 37, выпуск 12, Стр. 1477

Аннотация Представлены экспериментальные результаты исследования динамики восстановления диодов на основе слабо легированных эпитаксиальных слоев. Изученные диоды принадлежат к классу дрейфовых диодов с резким восстановлением и предназначены для работы в схемах формирования и генерирования пикосекундных импульсов. Полученные значения скорости восстановления обратного напряжения (dU/dt~ 2000 В/нс) значительно превосходят предельные скорости восстановления известных нам пикосекундных диодов с накоплением заряда и являются рекордными для дрейфовых диодов с резким восстановлением.\label4234