Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Ударно-ионизационный волновой пробой игенерация пикосекундных сверхширокополосных исверхвысокочастотных импульсов вдрейфовых диодах на основеGaAs срезким восстановлением

Козлов В.А., Рожков А.В., Кардо-Сысоев А.Ф.

Козлов В.А., Рожков А.В., Кардо-Сысоев А.Ф. Ударно-ионизационный волновой пробой игенерация пикосекундных сверхширокополосных исверхвысокочастотных импульсов вдрейфовых диодах на основеGaAs срезким восстановлением // ФТП, 2003, том 37, выпуск 12, Стр. 1480

Аннотация Впервые экспериментально подтверждено, что работа дрейфовых GaAs-диодов с резким восстановлением, изготовленных из p+-p0-n0-n+-структур, сопровождается возбуждением сверхвысокочастотных осцилляций в виде цугов коротких импульсов длительностью~ 10 пс. Амплитуда импульсов и частота их повторения достигают значений~ 100 В и~ (10-100) ГГц соответственно. Факт существования явлений задержанного обратимого волнового пробоя и возбуждения сверхвысокочастотных осцилляций в струкурах GaAs-диодов с резким восстановлением открывает перспективы развития новых направлений как в физике и технике полупроводниковых приборов на основе GaAs-структур, так и в новых областях техники и технологии сверхвысокочастотных и сверхширокополосных систем и устройств, оперирующих с импульсными сигналами пикосекундной длительности.