Профиль » Публикация
Опубликовано
2004-00-00
Организация* Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия + Department of Electrical and Computer Engineering, State University ofNewYork, Stony Brook, NY 11794-2350, USA
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Теория пороговых характеристик полупроводниковых лазеров наквантовых точках
Асрян Л.В., Сурис Р.А. Теория пороговых характеристик полупроводниковых лазеров наквантовых точках // ФТП, 2004, том 38, выпуск 1, Стр. 3
Аннотация
Дан обзор последовательной теории пороговых характеристик инжекционных лазеров на квантовых точках, составляющей основу для оптимизации их конструкций. Детально рассмотрены зависимости коэффициента усиления, тока прозрачности, порогового тока, характеристической температуры и порога многомодовой генерации от параметров ансамбля квантовых точек (поверхностной концентрации и дисперсии размеров квантовых точек), резонатора (длины полоска и толщины волноводной области), гетероконтактов (разрывов краев зон) и температуры. Подробно обсуждены предельные характеристики лазера (оптимальные параметры структуры, минимальная плотность порогового тока и характеристическая температура для оптимизированной структуры). Результаты представленного анализа являются непосредственными рекомендациями для практической реализации лазеров на квантовых точках, существенно превосходящих по своим рабочим параметрам используемые в настоящее время полупроводниковые лазеры.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален