Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияИнститут электроники Национальной академии наук Белоруссии, 220090 Минск, Белоруссия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Диффузия цинка в незащищенную поверхностьInP

Андриевский В.Ф., Гущинская Е.В., Малышев С.А.

Андриевский В.Ф., Гущинская Е.В., Малышев С.А. Диффузия цинка в незащищенную поверхностьInP // ФТП, 2004, том 38, выпуск 1, Стр. 68

Аннотация Представлены результаты экспериментальных исследований InP:Zn, полученного методом диффузии цинка в открытой системе в незащищенную поверхностьInP. Изучено влияние отжигов в атмосферах азота и водорода, проведенных перед диффузиейZn на параметры фосфида индия. Установлено, что при термическом отжиге в атмосфере азота в фосфиде индия создается насыщенный азотом приповерхностный слой, который препятствует испарению фосфора, уменьшает генерацию рекомбинационных центров в фосфиде индия и увеличивает концентрацию электрически активной примеси цинка в p-области фосфида индия.