Профиль » Публикация
Опубликовано
2004-00-00
ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Влияние примеси золота нафотолюминесценцию и фотоэдс пористого кремния
Венгер Е.Ф., Кириллова С.И., Кизяк И.М., Манойлов Э.Г., Примаченко В.Е. Влияние примеси золота нафотолюминесценцию и фотоэдс пористого кремния // ФТП, 2004, том 38, выпуск 1, Стр. 117
Аннотация
Изучено влияние легирования золотом на фотолюминесцентные свойства и электронные состояния структур <пористый кремний>/<монокристаллический кремний> (por-Si/c-Si), полученных химическим окрашивающим травлением. Измерены спектры фотолюминесценции с временным разрешением и температурные зависимости конденсаторной фотоэдс. Показано, что введение золота из растворов его соли в сформированный por-Si несколько уменьшает интенсивность фотолюминесценции и изменяет ее спектральное распределение, но более существенно изменяет параметры электронных состояний por-Si и границы раздела por-Si/c-Si, что проявляется при исследовании фотоэдс.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален