Профиль » Публикация

Аннотация Анализируются полученные к настоящему времени результаты по исследованию радиационной стойкости SiC и разработке детекторов ядерных излучений на его основе. Приведены данные по энергиям ионизации, сечениям захвата и возможной структуре центров, образующихся в SiC под воздействием облучения различными типами частиц. Рассмотрено влияние облучения на концентрацию носителей заряда и рекомбинационные процессы в карбиде кремния. Описание результатов разработки и исследования параметров детекторов проведено в двух аспектах. Во-первых, отражены специфические возможности SiC-детекторов в задачах ядерной физики и техники; приведены типичные примеры использования детекторов. Во-вторых, пояснена связь характеристик детекторов со свойствами исходного материала; описан ряд методов определения конкретных параметров SiC исходя из характеристик детекторов. Сделано заключение, что прогресс последних лет в получении совершенных пленок SiC (разностная концентрация примесей (3·1014-3·1015) см-3, плотность полых каналов--- micropipe-дефектов до1 см-2) позволил SiC войти в категорию материалов, пригодных для создания современных детекторов. Технологические возможности SiC отнюдь не исчерпаны и, несомненно, уже в ближайшее время будут реализованы различные (втом числе, многоэлементные) конфигурации детекторов.