Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияИнститут физико-органической химии Национальной академии наук Белоруссии, 220072 Минск, Белоруссия * Институт физики им.Б.И.Степанова Национальной академии наук Белоруссии, 220072 Минск, Белоруссия + Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской ака ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние содержания In иAl на характеристики собственных дефектов вквантовых точках на основе арсенида галлия

Безъязычная Т.В., Зеленковский В.М., Рябцев Г.И., Соболев М.М.

Безъязычная Т.В., Зеленковский В.М., Рябцев Г.И., Соболев М.М. Влияние содержания In иAl на характеристики собственных дефектов вквантовых точках на основе арсенида галлия // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 213

Аннотация Квантово-химическим неэмпирическим методом ССП МО ЛКАО исследовано влияние индия и алюминия на свойства дефектного комплексаAsGa (мышьяк, замещающий галлий вузле кристаллической решетки) вквантовых точках на основе арсенида галлия. Показано, что дефектAsGa может существовать встабильном и метастабильном состояниях. Увеличение содержания индия или алюминия повышает вероятность формирования дефектаAsGa встабильном состоянии, причем данный эффект сильнее проявляется при введении вквантовые точки атомов индия. Энергия активации перехода между стабильным и метастабильным состояниями варьируется от0.886 до2.049 эВ взависимости от стехиометрического состава квантовых точек. Возникновение дефектаAsGa приводит кпоявлению взапрещенной зоне двух глубоких уровней.