Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияГУП НПП &#92;glqq Пульсар&#92;grqq, 105187 Москва, Россия * ООО &#92;glqq Сигм Плюс&#92;grqq, 109377 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фоточувствительность структур сквантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, при нормальном падении излучения

Куликов В.Б., Аветисян Г.Х., Василевская Л.М., Залевский И.Д., Будкин И.В., Падалица А.А.

Куликов В.Б., Аветисян Г.Х., Василевская Л.М., Залевский И.Д., Будкин И.В., Падалица А.А. Фоточувствительность структур сквантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, при нормальном падении излучения // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 218

Аннотация В последнее время для выращивания приборных структур с квантовыми ямами наряду с молекулярно-лучевой эпитаксией все больше используют газофазную эпитаксию из металлорганических соединений (МОС-гидридную эпитаксию). Наш опыт работы с фотоприемниками на основе структур с квантовыми ямами, выращенных методом МOС-гидридной эпитаксии, показывает, что они обладают рядом отличий от аналогов, полученных с использованием молекулярно-лучевой эпитаксии. К таким отличиям следует отнести более существенную асимметрию вольт-амперной характеристики, наличие значительной фоточувствительности при нормальном падении излучения без специальных устройств ввода. Указанные отличия связаны, на наш взгляд, с особенностями процесса эпитаксии. В настоящей работе представлены результаты экспериментального исследования таких фотоприемников на основе структур с квантовыми ямами, обсуждается их связь со структурными особенностями, обусловленными процессом МОС-гидридной эпитаксии.