Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ), 197376 Санкт-Петербург, Россия * Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование образования и модификации нанокристаллических включений кремния в пленках a-Si : H методом просвечивающей электронной микроскопии

Афанасьев В.П., Гудовских А.С., Казак-Казакевич А.З., Сазанов А.П., Трапезникова И.Н., Теруков Е.И.

Афанасьев В.П., Гудовских А.С., Казак-Казакевич А.З., Сазанов А.П., Трапезникова И.Н., Теруков Е.И. Исследование образования и модификации нанокристаллических включений кремния в пленках a-Si : H методом просвечивающей электронной микроскопии // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 226

Аннотация Методом просвечивающей электронной микроскопии исследовано образование и модификация включений нанокристаллической фазы (nc-Si) в тонких пленках a-Si : H, полученных тремя способами: плазмохимическим осаждением a-Si : H, циклическим плазмохимическим осаждением с промежуточным отжигом слоев толщиной 10--20 нм в водородной плазме и плазмохимическим осаждением a-Si : H с отжигом пленок толщиной40 нм в водородной плазме. Показано, что размеры нанокристаллитов в пленках, полученных циклическим осаждением с промежуточным отжигом в водородной плазме, после термообработки при 750oC в течение 30 мин не превышают толщины слоя, осажденного за цикл, в то время как в однородных пленках после термообработки в тех же условиях размеры кристаллитов достигают 1 мкм и более. Предложены модели, объясняющие наблюдаемые эффекты, которые подтверждаются результатами расчетов диффузионных профилей водорода в пленке a-Si : H после ее отжига в водородной плазме и термообработки в вакууме.