Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияИнститут радиотехники и электроники Российской академии наук, 101999 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Сверхскоростной электронный дрейф вполевых полупроводниковых структурах ссекционированным каналом

Гергель В.А., Гуляев Ю.В., Зеленый А.П., Якупов М.Н.

Гергель В.А., Гуляев Ю.В., Зеленый А.П., Якупов М.Н. Сверхскоростной электронный дрейф вполевых полупроводниковых структурах ссекционированным каналом // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 237

Аннотация Исследованы характерные особенности высокополевого дрейфа электронов в специфических полупроводниковых структурах, в которых сравнительно высокоомная дрейфовая область разделена на несколько нанометровых подобластей соответствующим числом низкоомных включений также нанометровой протяженности. Показано, что в расположенных на дрейфовых электронных траекториях низкоомных участках происходит эффективное снижение электронной температуры, обеспечивающее сохранение высокой электронной подвижности на высокоомных участках траектории. Врезультате известный эффект падения электронной подвижности подавляется, и становится возможным достижение сравнительно высоких, существенно превышающих скорость насыщения, значений эффективной дрейфовой скорости электронного потока.