Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * ЗАО &#92;glqq Светлана-Электронприбор&#92;grqq, 194156 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Экспериментальное исследование p-i-n-диодов на основе SiC в 3-сантиметровом диапазоне

Василевский К.В., Гамулецкая П.Б., Кириллов А.В., Лебедев А.А., Романов Л.П., Смирнов В.А.

Василевский К.В., Гамулецкая П.Б., Кириллов А.В., Лебедев А.А., Романов Л.П., Смирнов В.А. Экспериментальное исследование p-i-n-диодов на основе SiC в 3-сантиметровом диапазоне // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 242

Аннотация Приведены результаты экспериментальных исследований p-i-n-диодов на основе SiC вконструкции переключателя 3-сантиметрового диапазона на базе волноводно-щелевой линии. Получены значения потерь запирания переключателя 18.5--23 дБ при токе управления100 мА. Приведена сравнительная оценка последовательного сопротивления на частоте10 ГГц и дифференциального сопротивления на низких частотах p-i-n-диодов на основе Si иSiC.