Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияИнститут проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия * Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия &#36; Институт химических проблем микроэл ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Низкотемпературная релаксация упругих напряжений вSiGe / Si-гетероструктурах, облученных ионамиGe+

Аврутин В.С., Агафонов Ю.А., Вяткин А.Ф., Зиненко В.И., Изюмская Н.Ф., Иржак Д.В., Рощупкин Д.В., Штейнман Э.А., Вдовин В.И., Югова Т.Г.

Аврутин В.С., Агафонов Ю.А., Вяткин А.Ф., Зиненко В.И., Изюмская Н.Ф., Иржак Д.В., Рощупкин Д.В., Штейнман Э.А., Вдовин В.И., Югова Т.Г. Низкотемпературная релаксация упругих напряжений вSiGe / Si-гетероструктурах, облученных ионамиGe+ // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 325

Аннотация Псевдоморфные гетероструктуры Si0.76Ge0.24 / Si, изготовленные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, облучали ионами Ge+ с энергией 350 кэВ при температуре 400oC таким образом, чтобы пик энергетических потерь ионов находился в кремниевой подложке, ниже границы раздела SiGe / Si. Изучалось влияние ионной имплантации на релаксацию упругих напряжений и дефектную структуру, образующуюся в результате постимплантационных отжигов. Обнаружено, что отжиг уже при температуре 600oC позволяет получить очень выскокую степень релаксации упругих напряжений в гетероструктуре при низкой плотности прорастающих дислокаций в слое SiGe (