Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Температурная зависимость электролюминесценции ионов Er втуннельных диодах на основе (111)-Si : (Er, O)

Емельянов А.М., Соболев Н.А.

Емельянов А.М., Соболев Н.А. Температурная зависимость электролюминесценции ионов Er втуннельных диодах на основе (111)-Si : (Er, O) // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 361

Аннотация В диапазоне температур 80--300 K в режиме пробоя исследованы электролюминесценция и вольт-амперные характеристики туннельных диодов, полученных имплантацией ионов эрбия, кислорода и бора в(111) n-Si и последующим отжигом. Наблюдавшийся эффект температурного возгорания интенсивности электролюминесценции ионов эрбия обусловлен термическим опустошением ловушек, захвативших дырки в n-области диода при низких температурах, которое приводит к изменению характеристик пробоя. Показано, что часть ловушек при низких температурах сохраняет захваченный положительный заряд и после снятия с диода напряжения. Это обусловливает своеобразный эффект памяти в исследованных структурах.