Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияНаучно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, 603950 Нижний Новгород, Россия * Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603600 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Сине-зеленое излучение вполупроводниковых лазерах сквантовыми ямами на основеGaAs

Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Алешкин В.Я.

Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Алешкин В.Я. Сине-зеленое излучение вполупроводниковых лазерах сквантовыми ямами на основеGaAs // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 366

Аннотация Проведено исследование второй гармоники вполупроводниковых лазерах InGaAs/GaAs/InGaP сквантовыми ямами. Показано, что решеточная нелинейность 2-го порядка коэффициента диэлектрической проницаемости приводит квозбуждению фундаментальной TM-моды диэлектрического волновода на удвоенной частоте линии генерации лазера. Наблюдались дополнительные линии генерации около пика второй гармоники.