Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Внутренние оптические потери вполупроводниковых лазерах
Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Тарасов И.С.
Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Тарасов И.С. Внутренние оптические потери вполупроводниковых лазерах // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 374
Аннотация Исследованы внутренние оптические потери в мощных полупроводниковых лазерах на основе квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения. На основании расчетов показано, что основная доля внутренних оптических потерь приходится на активную область и эмиттеры. Увеличение толщины волновода и длины резонатора лазера приводят к снижению внутренних оптических потерь. Рассмотрены два подхода в конструировании лазерных гетероструктур, проведена оптимизация гетероструктур. Установлено, что различие внутренних оптических потерь в лазерах на подложках из фосфида индия и арсенида галлия связано с большим сечением рассеяния фотонов дырками в фосфиде индия. Показано хорошее согласие экспериментальных и расчетных значений величин внутренних оптических потерь в лазерах на подложках арсенида галлия и фосфида индия.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален