Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияУжгородский национальный университет, 88000 Ужгород, Украина * Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Энергетические состояния вкороткопериодных симметричных иасимметричных сверхрешетках (GaAs)N/(AlAs)M. Зависимость отграничных условий

Глухов К.Е., Берча А.И., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г.

Глухов К.Е., Берча А.И., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. Энергетические состояния вкороткопериодных симметричных иасимметричных сверхрешетках (GaAs)N/(AlAs)M. Зависимость отграничных условий // ФТП, 2004, том 38, выпуск 4, Стр. 426

Аннотация На основании полученных экспериментальных данных по низкотемпературной фотолюминесценции проведено численное моделирование энергетических состояний симметричных и асимметричных короткопериодных сверхрешеток (GaAs)N/(AlAs)M с ориентацией(001). Врамках матричного формализма метода огибающей функции исследованы тенденции поведения минизонного спектра в моделях с различными граничными условиями. Показано, что верную информацию о типе переходов в рассматриваемых материалах можно получить уже при диагональных граничных условиях. Изучено влияние на минизонный спектр поправок, возникающих при учете смешивания состояний долинGamma иX и наличии локализованного на гетерогранице delta-функционального потенциала.