Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников им.В.Е.Лашкарева Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Модель фотоотжига собственных дефектов гексагональных квантовых точек CdSxSe1-x

Кунец В.П., Кулиш Н.Р., Лисица М.П., Брыкса В.П.

Кунец В.П., Кулиш Н.Р., Лисица М.П., Брыкса В.П. Модель фотоотжига собственных дефектов гексагональных квантовых точек CdSxSe1-x // ФТП, 2004, том 38, выпуск 4, Стр. 465

Аннотация На основе исследований кинетики фотоиндуцированного затухания люминесценции квантовых точек CdSxSe1-x, синтезированных в стеклянной матрице, и расчетов abinitio энергий химических связей на границе раздела фаз в кластере типа n(CdSe)--SiOx обоснован возможный механизм фотоотжига собственных дефектов квантовых точек с гексагональной структурой кристаллической решетки. Модель состоит в том, что индуцируемый светом разрыв связей Se--O со стороны анионной грани ведет к увеличению напряженности электрического поля внутри квантовой точки, под действием которого вакансии кадмия дифундируют к поверхности. Такая модель позволяет объяснить наблюдаемые при фотоотжиге эффекты деградации люминесценции и параметров нелинейных оптических устройств на их основе.