Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия &#36; Институт аналитического приборостроения Российско ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Определение профиля распределения концентрации носителей заряда вслабосвязанных сверхрешетках GaAs / AlGaAs

Брунков П.Н., Усов С.О., Мусихин Ю.Г., Жуков А.Е., Цырлин Г.Э., Устинов В.М., Конников С.Г., Расулова Г.К.

Брунков П.Н., Усов С.О., Мусихин Ю.Г., Жуков А.Е., Цырлин Г.Э., Устинов В.М., Конников С.Г., Расулова Г.К. Определение профиля распределения концентрации носителей заряда вслабосвязанных сверхрешетках GaAs / AlGaAs // ФТП, 2004, том 38, выпуск 4, Стр. 469

Аннотация С помощью метода электрохимического вольт-фарадного профилирования проведены исследования влияния уровня легирования на вольт-амперные характеристики полупроводниковых гетероструктур со сверхрешетками GaAs / AlGaAs. Показано, что высокая концентрация свободных электронов в сверхрешетке GaAs / AlGaAs экранирует внешнее электрическое поле и препятствует образованию домена с высоким электрическим полем, ответственного за процесс резонансного туннелирования в слабосвязанных решетках.