Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияНаучно-производственное предприятие &#92;glqq Исток&#92;grqq, 141190 Фрязино, Россия * Институт проблем технологии микроэлектроники иособочистых материалов Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование характеристик фотодиодных линеек наInSb

Бирюлин П.В., Туринов В.И., Якимов Е.Б.

Бирюлин П.В., Туринов В.И., Якимов Е.Б. Исследование характеристик фотодиодных линеек наInSb // ФТП, 2004, том 38, выпуск 4, Стр. 498

Аннотация Исследованы электрические характеристики из 8-элементных сурьмянисто-индиевых фотодиодных линеек при T=78-145 K. Коэффициенты взаимной связи соседних p-n-переходов не превышали4.3%. При исследовании поверхности имплантированных цинком p-n-переходов в режиме вторичных электронов и методом наведенного тока в растровом микроскопе у них выявлены дефекты под пленкойZnS, а также локальные неоднородности тока через p-n-переходы.