Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияИнститут проблем материаловедения им.Францевича Национальной академии наук Украины, 58001 Черновцы, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Изменение контактной разности потенциалов фотодиода на основе гетероперехода n-InSe--p-GaSe впроцессе &#92;glqq старения&#92;grqq

Драпак С.И., Орлецкий В.Б., Ковалюк З.Д.

Драпак С.И., Орлецкий В.Б., Ковалюк З.Д. Изменение контактной разности потенциалов фотодиода на основе гетероперехода n-InSe--p-GaSe впроцессе \glqq старения\grqq // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 566

Аннотация Исследовано изменение контактной разности потенциалов контакта n-InSe--p-GaSe в процессе длительного (более 10 лет) хранения в нормальных условиях. Обнаруженное существенное увеличение со временем контактной разности потенциалов объясняется сближением поверхностей моноселенидов индия и галлия вследствие диффузионного расплывания кислорода, первоначально адсорбированного на границе раздела, в глубь контактирующих полупроводников с образованием участков реального \glqq тесного\grqq контакта InSe/GaSe.