Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияВоронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Геометрическая структура испектральные характеристики электронных состояний кремниевых наночастиц

Курганский С.И., Борщ Н.А.

Курганский С.И., Борщ Н.А. Геометрическая структура испектральные характеристики электронных состояний кремниевых наночастиц // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 580

Аннотация Представлены результаты оптимизации геометрической структуры и расчета электронной структуры кремниевых анионных кластеров Si12---Si16-. Для расчетов использовался полуэмпирический метод РМЗ. Рассматривались состояния с различной мультиплетностью (2S+1=2,4 и6). Сопоставление результатов расчета с экспериментальными фотоэлектронными спектрами показало, что для кластеров Si12---Si14- хорошее согласие наблюдается для состояний с мультиплетностью2. Для кластеров Si15- иSi16- с экспериментом согласуются спектры для мультиплетных состояний4 и2 соответственно.