Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 Организация* Московский институт стали и сплавов (Технологический университет), 119936 Москва, Россия o ФГУП &#92;glqq Гиредмет&#92;grqq, 119017 Москва, Россия + Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), 103498 Москва ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Свойства самоорганизованных SiGe-наноструктур, полученных методом ионной имплантации

Пархоменко Ю.Н., Белогорохов А.И., Герасименко Н.Н., Иржак А.В., Лисаченко М.Г.

Пархоменко Ю.Н., Белогорохов А.И., Герасименко Н.Н., Иржак А.В., Лисаченко М.Г. Свойства самоорганизованных SiGe-наноструктур, полученных методом ионной имплантации // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 593

Аннотация С использованием методов оже-электронной спектроскопии, атомно-силовой и растровой электронной микроскопии исследованы свойства самоорганизованных квантовых точек SiGe, впервые сформированных с использованием метода ионно-лучевого синтеза. Обнаружено, что в имплантированных ионами германия слоях Si после их отжига проявляется пространственное коррелированное распределение атомов германия, в результате чего образуются области нанометровых размеров, обогащенные германием, в которых его концентрация на 10-12% выше, чем в окружающей матрице твердого раствора SiGe. Оптические свойства слоев с квантовыми точками SiGe исследовались с помощью методов комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции. Обнаружен интенсивный пик фотолюминесценции в диапазоне длин волн 1.54-1.58 мкм при комнатной температуре.