Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им.М.В.Ломоносова (физический факультет), 119992 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Взаимодействие инфракрасного излучения сосвободными носителями заряда вмезопористом кремнии

Осминкина Л.А., Курепина Е.В., Павликов А.В., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К.

Осминкина Л.А., Курепина Е.В., Павликов А.В., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Взаимодействие инфракрасного излучения сосвободными носителями заряда вмезопористом кремнии // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 603

Аннотация Исследовано поглощение и отражение инфракрасного излучения в диапазоне 500-6000 см-1, связанное со свободными носителями заряда в слоях мезопористого кремния (пористость 60-70%), сформированных из монокристаллических пластин p-Si с концентрацией дырок Np~1020 см-3 ориентации(100). Установлено, что вклад свободных дырок в оптические параметры образцов уменьшается с ростом их пористости, а также дополнительно падает при естественном окислении на воздухе. Экспериментальные результаты объяснены в рамках модели, основанной на приближении эффективной среды Бруггемана и классической теории Друде с поправкой на дополнительное рассеяние носителей заряда в кремниевых остатках (нанокристаллах). Сравнение расчетных и экспериментальных зависимостей дает значение концентрации дырок в нанокристаллах Np~1019 см-3 для свежеприготовленных слоев и показывает снижениеNp в процессе их естественного окисления.