Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследования методом электронного парамагнитного резонанса пленок нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением

Братусь В.Я., Окулов С.М., Каганович Э.Б., Кизяк И.М., Манойлов Э.Г.

Братусь В.Я., Окулов С.М., Каганович Э.Б., Кизяк И.М., Манойлов Э.Г. Исследования методом электронного парамагнитного резонанса пленок нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 621

Аннотация Выполнены исследования методом электронного парамагнитного резонанса пленок кремния, сформированных методом лазерной абляции. Измерения осуществлялись в X-диапазоне с модуляцией магнитного поля на частоте ~100 кГц при температурах 300 и 77 K. Наблюдали два вида спектров. Первый вид, обнаруживающий большую концентрацию оборванных связей кремния в нанокристаллах Si и оболочках SiOx, присущ пленкам нанокристаллического кремния (nc-Si), не обладающим видимой фотолюминесценцией. Второй вид спектров, указывающий на наличие E'-центров, центров <немостиковый кислород>-дырка (NBOHC) и пероксидных радикалов, характерен для пленок с видимой фотолюминесценцией, что свидетельствует о наличии в них высокобарьерных слоев SiO2. Наблюдался эффект увеличения интенсивности фотолюминесценции и уменьшения сигнала электронного парамагнитного резонанса на пористых пленках nc-Si при длительном хранении навоздухе.