Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Низкопороговые инжекционные лазеры на основе одиночных квантовых ям InGaAsN, работающие вдиапазоне длин волн1.3 мкм

Одноблюдов В.А., Егоров А.Ю., Кулагина М.М., Малеев Н.А., Шерняков Ю.М., Никитина Е.В., Устинов В.М.

Одноблюдов В.А., Егоров А.Ю., Кулагина М.М., Малеев Н.А., Шерняков Ю.М., Никитина Е.В., Устинов В.М. Низкопороговые инжекционные лазеры на основе одиночных квантовых ям InGaAsN, работающие вдиапазоне длин волн1.3 мкм // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 630

Аннотация Исследована конструкция активной области инжекционных лазеров на основе одиночных квантовых ям InGaAsN. Продемонстрирована длинноволновая (1.27--1.3 мкм), низкопороговая (50%) лазерная генерация при комнатной температуре в структурах на основе одиночных квантовых ям InGaAsN, в барьерах GaAs или InGaAsN. Исследованы основные характеристики лазеров (пороговые, температурные, мощностные) в геометрии широкого полоска для структур с активной областью указанных типов. Проведен сравнительный анализ характеристик инжекционных лазеров с активной областью различных конструкций.