Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияКазахский национальный технический университет, 480013 Алматы, Казахстан * Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 101999 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Выступ на спектрах поглощения GaAs, возбужденного мощными пикосекундными импульсами света

Алтыбаев Г.С., Броневой И.Л., Кумеков С.Е.

Алтыбаев Г.С., Броневой И.Л., Кумеков С.Е. Выступ на спектрах поглощения GaAs, возбужденного мощными пикосекундными импульсами света // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 674

Аннотация Рассчитаны спектры поглощения GaAs, возбужденного мощными короткими импульсами света. \glqq Выступ\grqq на спектрах обусловлен отклонением функции распределения электронов от фермиевской. Возмущение функции распределения связано с LO-фононной релаксацией электронов между состояниями, участвующими в формировании \glqq дыры\grqq в области усиления и выступа в области поглощения. Показано, что температура оптических фононов, определяющих релаксацию фотовозбужденных электронов, отличается от решеточной, а время залечивания возмущения фермиевской функции распределения за счет межэлектронных столкновений почти равно характерному времени взаимодействия электрона с оптическими фононами.