Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияМосковский государственный институт электронной техники (Технический университет), 124498 Зеленоград, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Высокочастотная барьерная емкость контакта металл--полупроводник ирезкого p-n-перехода

Мурыгин В.И.

Мурыгин В.И. Высокочастотная барьерная емкость контакта металл--полупроводник ирезкого p-n-перехода // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 702

Аннотация Рассчитаны высокочастотные емкости барьера Шоттки и резкого p-n-перехода с учетом концентрации свободных носителей заряда в области объемного заряда в полупроводнике с мелкими и глубокими примесными уровнями. Полученные формулы сопоставляются с опубликованными результатами расчетов высокочастотной емкости p-n-перехода и результатами экспериментальных исследований.