Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Трансформация коротковолновой полосы излучения двухзарядного природного акцептора вдлинноволновую всветодиодах наосновеGaSb

Гребенщикова Е.А., Именков А.Н., Журтанов Б.Е., Данилова Т.Н., Сиповская М.А., Власенко Н.В., Яковлев Ю.П.

Гребенщикова Е.А., Именков А.Н., Журтанов Б.Е., Данилова Т.Н., Сиповская М.А., Власенко Н.В., Яковлев Ю.П. Трансформация коротковолновой полосы излучения двухзарядного природного акцептора вдлинноволновую всветодиодах наосновеGaSb // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 745

Аннотация Сообщается о создании кристаллов на основе GaSb в виде ступенчатой пирамиды со сглаженными ступенями для изготовления светодиодов, в которых коротковолновая полоса излучения двухзарядного природного акцептора трансформируется в длинноволновую без потери количества излучаемых фотонов. Экспериментально и теоретически показано, что увеличение отношения площади светодиодного кристалла к его объему увеличивает внешний квантовый выход фотонов и достигнута его величина 5.1% для природного акцептора вGaSb.