Профиль » Публикация
Опубликовано
2004-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Мощные лазеры на квантовых точках InAs--InGaAs спектрального диапазона 1.5 мкм, выращенные на подложках GaAs
Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Мусихин Ю.Г., Леденцов Н.Н., Жуков А.Е., Васильев А.П., Ковш А.Р., Михрин С.С., Семенова Е.С., Малеев Н.А., Никитина Е.В., Устинов В.М., Алферов Ж.И. Мощные лазеры на квантовых точках InAs--InGaAs спектрального диапазона 1.5 мкм, выращенные на подложках GaAs // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 763
Аннотация
Исследованы ватт-амперные, температурные и спектральные характеристики длинноволновых (1.46-1.5 мкм) лазеров, выращенных на подложках GaAs, с активной областью на основе квантовых точек InAs--InGaAs. Для достижения требуемой длины волны квантовые точки формировались на метаморфном буферном слое InGaAs с содержанием индия около 20%. Максимальная выходная мощность лазеров составила 7 Вт в импульсном режиме при комнатной температуре. Дифференциальная эффективность прибора с длиной резонатора 1.5 мм составила 50%. Температурная зависимость пороговой плотности тока в диапазоне 10-73oC описывается характеристической температурой61 K.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален