Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияCанкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия * Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Cтимулирование металлургических реакций наинтерфейсе Ni--SiC протонным облучением

Козловский В.В., Иванов П.А., Румянцев Д.С., Ломасов В.Н., Самсонова Т.П.

Козловский В.В., Иванов П.А., Румянцев Д.С., Ломасов В.Н., Самсонова Т.П. Cтимулирование металлургических реакций наинтерфейсе Ni--SiC протонным облучением // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 778

Аннотация Показано, что облучение структур Ni--SiC протонами при повышенных температурах способствует ускорению металлургических реакций на интерфейсе Ni--SiC за счет диффузионного механизма, стимулированного радиационным дефектообразованием. Наибольший эффект \glqq перемешивания\grqq интерфейса металл--полупроводник достигается при совпадении толщины пленки металла с величиной проецированного пробега протонов.