Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияИнститут физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия * Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Устойчивость обработанных протонамиGaAs фотодетекторов кгамма-нейтронному облучению

Мурель А.В., Оболенский С.В., Фефелов А.Г., Киселева Е.В.

Мурель А.В., Оболенский С.В., Фефелов А.Г., Киселева Е.В. Устойчивость обработанных протонамиGaAs фотодетекторов кгамма-нейтронному облучению // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 834

Аннотация Исследованы характеристики облученных протонами эпитаксиальных i-GaAs-структур фотодетекторов со встречно-штыревой системой электродов до и после воздействия гамма-нейтронного облучения. Чтобы уменьшить темновой ток фотодетекторов, металлизация электродов производилась на облученных протонами i-GaAs-структурах, а затем проводилось вжигание при температуре300oC в течение30 мин, что приводило к частичному восстановлению проводимости эпитаксиального слоя. На основании измерений спектральных зависимостей фоточувствительности структур показано, что при энергиях оптических квантов, близких к ширине запрещенной зоны, фоточувствительность облученных протонами структур устойчива к воздействию гамма-нейтронного облучения, что позволяет предложить их для создания радиационно-стойких фотодетекторов.