Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияНаучно-производственное предприятие &#92;glqq Исток&#92;grqq, 141190 Фрязино, Россия * Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование утечек по поверхности фотодиодов наCdHgTe

Бирюлин П.В., Туринов В.И., Якимов Е.Б.

Бирюлин П.В., Туринов В.И., Якимов Е.Б. Исследование утечек по поверхности фотодиодов наCdHgTe // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 890

Аннотация Исследован ток утечки Ip по поверхности фотодиодов из CdxHg1-xTe с граничной длиной волны спектра фоточувствительности lambdaco=9.8-11.6 мкм, изготовленных имплантацией ионов Zn++ в твердый раствор p-типа проводимости. На поверхностный характер токаIp указывает координатный сдвиг пика на профиле чувствительности n+-p-переходов, измеряемом в режиме сканирования лучом лазера на CO2 (длина волны 10.6 мкм), при увеличении напряженияU на фотодиоде, а также смещение спектральных характеристик в коротковолновую область при увеличенииU.