Профиль » Публикация

Аннотация Излагаются результаты исследований основных физических характеристикInN, который до настоящего времени остается наименее изученным из нитридов элементов III группы. Мы приводим анализ оптических исследованийInN, выполненных в ранних работах, и сопоставление их с результатами последних исследований. Новые экспериментальные факты, приводимые в данном обзоре, относятся к гексагональным монокристаллическим эпитаксиальным слоямInN с концентрацией электронов в пределах от(1-2)·1018 до6·1020 см-3, выращенных методами MBE (молекулярно-пучковой эпитаксии) и MOVPE (газофазной эпитаксии из металлорганических соединений) на подложках Al2O3. Вобзоре приводятся основные структурные и электрические характеристики эпитаксиальных слоев гексагональногоInN. Эти данные являются результатом применения целого набора аналитических методов исследования. Большое внимание уделено комплексному анализу спектров межзонного поглощения, фотолюминесценции, возбуждения люминесценции и фотомодулированного отражения в области края собственного поглощения. Основным результатом исследований оптических спектров, проведенных в последнее время, является установление того факта, что гексагональный кристаллInN является узкозонным полупроводником с шириной запрещенной зоны0.65--0.7 эВ. Ранее значение ширины запрещенной зоны считалось равным1.89 эВ. Показано, что корректный учет эффекта Бурштейна--Мосса объясняет большое различие между шириной запрещенной зоны и порогом оптического поглощения в образцахInN с высокой концентрацией электронов. Малое значение ширины запрещенной зоны гексагональногоInN подтверждается оптическими исследованиями твердых растворов InxGa1-xN в области больших концентрацийIn. Дан также краткий обзор теоретических расчетов зонной структуры гексагональных кристалловInN.