Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Некоторые особенности диффузии Ga в порошках ZnS

Бачериков Ю.Ю., Ворона И.П., Оптасюк С.В., Родионов В.Е., Стадник А.А.

Бачериков Ю.Ю., Ворона И.П., Оптасюк С.В., Родионов В.Е., Стадник А.А. Некоторые особенности диффузии Ga в порошках ZnS // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1025

Аннотация Исследованы спектры фотолюминесценции и спектры электронного парамагнитного резонанса порошков ZnS, отожженных в присутствии металлического Ga с ограниченным доступом атмосферы к отжигаемым порошкам. На основании анализа спектров фотолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса показано, что в отожженных порошках ZnS в виде примеси Ga отсутствует. Установлено, что последующий свободный доступ атмосферы к отожженному ZnS с Ga способствует активному встраиванию Ga в решетку ZnS. Предложен механизм диффузии Ga вZnS.