Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия + Санкт-Петербургский государственный технологический инст ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Фоточувствительные структуры на основе монокристаллического кремния ипленок фталоцианина CuPc. Получение и свойства
Ильчук Г.А., Климова Н.В., Коньков О.И., Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудая Л.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Шаманин В.В., Юрре Т.А.
Ильчук Г.А., Климова Н.В., Коньков О.И., Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудая Л.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Шаманин В.В., Юрре Т.А. Фоточувствительные структуры на основе монокристаллического кремния ипленок фталоцианина CuPc. Получение и свойства // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1056
Аннотация Методами вакуумного термического осаждения фталоцианинаCuPc на поверхность кристаллического кремния и последующего магнетронного распыления мишени ZnO с добавкой Al впервые созданы фоточувствительные структуры n-ZnO : Al--p-CuPc--n-Si. Максимальная фоточувствительность этих структур SUm~ 20 В/Вт реализуется при освещении со стороны пленки ZnO и наблюдается в диапазоне 1--3.2 эВ при T=300 K. При наклонном падении линейно поляризованного излучения со стороны ZnO обнаруживается наведенный фотоплеохроизм, величина которого осциллирует в результате интерференции линейно поляризованного излучения в пленке ZnO. Сделан вывод о перспективах использования предложенных структур в широкополосных фотопреобразователях естественного излучения и экспрессно перестраиваемых фотоанализаторах линейно поляризованного излучения.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален