Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Technische Fakultat der Christian-Albrechts-Universitat zu Kiel, D-24143 Kiel, Germany ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Излучательная рекомбинация вкремниевой туннельной МОП структуре

Asli N., Векслер М.И., Грехов И.В., Seegebrecht P., Тягинов С.Э., Шулекин А.Ф.

Asli N., Векслер М.И., Грехов И.В., Seegebrecht P., Тягинов С.Э., Шулекин А.Ф. Излучательная рекомбинация вкремниевой туннельной МОП структуре // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1068

Аннотация Экспериментально изучены спектры рекомбинационной люминесценции туннельных МОП структур Al / SiO2 / p-Si. Проведена математическая реконструкция спектров, учитывающая потери на перепоглощение. Впервые приводятся результаты измерений в абсолютных единицах (Вт / эВ). Показана взаимосвязь формы спектра с энергией инжектируемых электронов, задаваемой прикладываемым напряжением. Проведена оценка темпа потерь энергии на излучение фотонов. Рассмотрены проявления деградации окисла на характеристиках люминесценции МОП структур.