Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияРоссийский научный центр &#92;glqq Курчатовский институт&#92;grqq, 123182 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Формирование потенциальных барьеров на контакте металл--полупроводник сиспользованием метода селективного удаления атомов

Гурович Б.А., Аронзон Б.А., Рыльков В.В., Ольшанский Е.Д., Кулешова Е.А., Долгий Д.И., Ковалев Д.Ю., Филиппов В.И.

Гурович Б.А., Аронзон Б.А., Рыльков В.В., Ольшанский Е.Д., Кулешова Е.А., Долгий Д.И., Ковалев Д.Ю., Филиппов В.И. Формирование потенциальных барьеров на контакте металл--полупроводник сиспользованием метода селективного удаления атомов // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1074

Аннотация Исследована возможность формирования потенциального рельефа в полупроводнике путем создания на его поверхности металлической пленки, полученной селективным удалением атомов (СУА) кислорода пучком ускоренных протонов (с энергией около1 кэВ) из предварительно нанесенного оксида металла. Вкачестве полупроводникового материала выбраны пленки эпитаксиально выращенного GaAs толщиной~ 100 нм и с концентрацией электронов 2· 1017 см-3, а в качестве металла--- W, полученный из WO3. Потенциальный рельеф формировался за счет образования барьера Шоттки на границе W/GaAs. Обнаружено, что при использовании метода СУА формируется заметно более высокий барьер Шоттки на контактеW сGaAs (~ 1 эВ), чем при использовании обычной технологии нанесения металла (0.8 эВ для W/GaAs). Представлены данные, свидетельствующие об отсутствии дефектной прослойки в подзатворной области структур, наиболее подвергаемой воздействию протонов. Вчастности, показано, что подвижность электронов в этой области совпадает с подвижностью объемного GaAs с тем же уровнем легирования.